FDMD82100

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-12

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

35 mOhms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W, 2.1 W

構成：

デュアル

商標名：

PowerTrenchパワークリップ

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

FDMD82100

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

18 S

立ち下がり時間：

3.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.4 ns

単位重量：

0.002904 oz

Tags

FDMD82, FDMD, FDM