BTS282ZE3180AATMA2

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

49 V

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.6 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

155 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

BTS282

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

36 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

37 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

パーツ番号エイリアス：

BTS282Z E3180A SP000910848

単位重量：

0.056438 oz

Tags

BTS282ZE3180AA, BTS282ZE31, BTS282ZE, BTS282Z, BTS28, BTS2, BTS