MPSH10RLRA

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

650 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

5.33 mm (Max)

長さ：

5.2 mm (Max)

包装：

リール

幅：

4.19 mm (Max)

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

Pd-消費電力：

350 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

MPSH10RL, MPSH10R, MPSH10, MPSH1, MPSH, MPS