MRF8S9200NR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

70 V

利得：

19.5 dB

出力電力：

58 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

OM-780-2

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

920 MHz to 960 MHz

シリーズ：

MRF8S9200N

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.3 V

パーツ番号エイリアス：

935314116528

単位重量：

0.108683 oz

Tags

MRF8S9200NR, MRF8S9200N, MRF8S9200, MRF8S920, MRF8S92, MRF8S9, MRF8S, MRF8, MRF