DMN30H4D1S-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、NPN

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

300 V

Id-連続ドレイン電流：

0.43 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

4.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.43 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

13.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.1 ns

Tags

DMN30H4, DMN30H, DMN30, DMN3, DMN