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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| SPD02N50C3 DISTI # SPD02N50C3INTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR) | Limited Supply - Call | |
| SPD02N50C3BTMA1 DISTI # SPD02N50C3BTMA1-ND | Infineon Technologies AG | LOW POWER_LEGACY RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR) | Limited Supply - Call | |
| SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA RoHS: Compliant | 160000 |
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| SPD02N50C3 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA RoHS: Compliant | 69000 |
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| SPD02N50C3 DISTI # 726-SPD02N50C3 | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 1.8A DPAK-2 CoolMOS C3 RoHS: Compliant | 2200 |
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| SPD02N50C3BTMA1 DISTI # N/A | Infineon Technologies AG | MOSFET LOW POWER_LEGACY | 0 | |
| SPD02N50C3 DISTI # 1471785 | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 500V, D-PAK RoHS: Compliant | 0 |
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| SPD02N50C3 DISTI # 1471785RL | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 500V, D-PAK RoHS: Compliant | 0 |
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| 画像 | モデル | 説明 |
|---|---|---|
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Mfr.#: 02N06C3 OMO.#: OMO-02N06C3-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02N06Z OMO.#: OMO-02N06Z-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02N601 OMO.#: OMO-02N601-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02N60J-H-HF OMO.#: OMO-02N60J-H-HF-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02N60J-HF OMO.#: OMO-02N60J-HF-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02N65 OMO.#: OMO-02N65-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02N9 OMO.#: OMO-02N9-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02NR OMO.#: OMO-02NR-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02NR-E2R OMO.#: OMO-02NR-E2R-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: 02NR-E4000 OMO.#: OMO-02NR-E4000-1190 |
ブランドニューオリジナル |