Si4401FDY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

14 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

66 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

45 S

立ち下がり時間：

6 ns, 39 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns, 75 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

39 ns, 44 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 27 ns

Tags

Si4401, Si440, SI44, SI4