SI5515CDC-T1-E3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ChipFET-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

36 mOhms, 100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

11.3 nC, 11 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI54

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

22.4 S, 9.5 S

立ち下がり時間：

10 ns, 6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns, 32 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

30 ns, 25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 10 ns

パーツ番号エイリアス：

SI5515CDC-E3

単位重量：

0.002998 oz

Tags

SI5515CDC-T, SI5515CDC, SI5515C, SI5515, SI551, SI55, SI5