IPT65R105G7XTMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOF-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

24 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

105 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

35 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

156 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

高さ：

2.4 mm

長さ：

10.58 mm

シリーズ：

CoolMOS G7

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

10.1 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

68 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

IPT65R105G7 SP001456204

Tags

IPT65R10, IPT65R1, IPT65, IPT6, IPT