GT10Q301

Mfr. #:: GT10Q301
メーカー:: TOS
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ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: GT10Q301 データシート
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メーカー: TOS

製品カテゴリ: ICチップ

Tags: GT10Q30, GT10Q3, GT10Q, GT10, GT1

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GT10Q301 説明

***ark: IGBT, 1200V TO-3P(N)IGBT, 1200V TO-3P(N); Case style:TO-3P(N)

***nell: IGBT, 1200V, TO-3P(N); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:140W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; MSL:-; Current Ic Continuous a Max:10A; Pin Format:GCE; Pulsed Current Icm:20A; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:Power IGBT; Voltage Vces:1.2kV

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
GT10Q301(Q) DISTI # N/A	Toshiba America Electronic Components	IGBT Transistors X35 Pb-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR,TO-3PN,MOQ=50,PC=90W,F=100KHZ RoHS: Compliant	0
GT10Q301Q	Toshiba America Electronic Components	RoHS: Not Compliant	Europe - 100

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画像	モデル	説明
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