2SD2211T100R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

最大DCコレクタ電流：

1.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

80 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD2211

DC電流ゲインhFEMax：

180 at 100 mA, 5 V

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.5 mm

包装：

リール

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

180

Pd-消費電力：

2000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.004603 oz

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