ALD1108EPCL

製品属性

属性値

メーカー：

高度な線形デバイス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

PDIP-16

チャネル数：

4 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

10 V

Id-連続ドレイン電流：

3 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

500 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

990 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

0 C

最高作動温度：

+ 70 C

Pd-消費電力：

600 mW

構成：

クワッド

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ALD1108EP

トランジスタタイプ：

4 N-Channel

タイプ：

MOSFET

ブランド：

高度な線形デバイス

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.036156 oz

Tags

ALD1108E, ALD1108, ALD110, ALD11, ALD1, ALD