SD56120

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

14 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

14 dB

出力電力：

100 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

M246

包装：

チューブ

構成：

デュアル

高さ：

5.08 mm

長さ：

29.08 mm

動作周波数：

1 GHz

シリーズ：

SD56120

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

5.97 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 S

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

217 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

60

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Tags

SD5612, SD561, SD56, SD5