TPH1R712MD,L1Q

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP Advance-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

182 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

78 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.95 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

TPH1R712MD

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

512 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

1620 ns

典型的なターンオン遅延時間：

27 ns

単位重量：

0.002434 oz

Tags

TPH1R712MD,L, TPH1R712MD, TPH1R7, TPH1R, TPH1, TPH