SH8K41GZETB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

3.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms, 90 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.6 nC, 6.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 S

立ち下がり時間：

12 ns, 12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns, 15 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns, 40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 12 ns

パーツ番号エイリアス：

SH8K41

Tags

SH8K4, SH8K, SH8