SQJ504EP-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.5 mOhms, 17 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V, 2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

30 nC, 85 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

34 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

35 S, 30 S

立ち下がり時間：

5 ns, 7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns, 6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns, 45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns, 15 ns

Tags

SQJ50, SQJ5, SQJ