CSD19536KTTT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

272 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

118 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

375 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

4.7 mm

長さ：

9.25 mm

シリーズ：

CSD19536KTT

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

10.26 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

329 S

立ち下がり時間：

6 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

単位重量：

0.068654 oz

Tags

CSD19536K, CSD19536, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD