2SAR514PFRAT100

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 200 mV

最大DCコレクタ電流：

- 0.7 A

ゲイン帯域幅積fT：

380 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

390

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.7 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2SAR514PFRA

Tags

2SAR514P, 2SAR514, 2SAR51, 2SAR5, 2SAR, 2SA