STI18N65M2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

275 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

110 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

シリーズ：

STI18N65M2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

12.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.5 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

46 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

単位重量：

0.050717 oz

Tags

STI18N6, STI18N, STI18, STI1, STI