NSS1C200MZ4T3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

140 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS1C200

DC電流ゲインhFEMax：

150

高さ：

1.57 mm

長さ：

6.5 mm

包装：

リール

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

2000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.003951 oz

Tags

NSS1C200M, NSS1C200, NSS1C20, NSS1C2, NSS1C, NSS1, NSS