2SAR523EBTL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EMT-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 150 mV

最大DCコレクタ電流：

- 100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SAR523EB

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2SAR523EB

Tags

2SAR523, 2SAR52, 2SAR5, 2SAR, 2SA