IXTH10P50P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

50 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

21.45 mm

長さ：

16.24 mm

シリーズ：

IXTH10P50

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

PolarPパワーMOSFET

幅：

5.3 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.5 S

立ち下がり時間：

44 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

28 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

52 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTH10P, IXTH10, IXTH1, IXTH, IXT