PSMN4R0-30YLDX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

95 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

19.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

64 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

11.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

21.2 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.9 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10.7 ns

単位重量：

0.003157 oz

Tags

PSMN4R0-30YLD, PSMN4R0-3, PSMN4R0, PSMN4, PSMN, PSM