BD435G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-225-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

32 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

32 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

500 mV

最大DCコレクタ電流：

4 A

ゲイン帯域幅積fT：

3 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BD435

高さ：

11.04 mm

長さ：

7.74 mm

包装：

バルク

幅：

2.66 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

Pd-消費電力：

36000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.068784 oz

Tags

BD435, BD43, BD4