1HN04CH-TL-W

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

270 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

900 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

600 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

1HN04CH

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

260 mS

立ち下がり時間：

39 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

58 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

1HN04CH-T, 1HN04, 1HN0, 1HN