NGTB50N120FL2WAG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-247-4

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.8 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

200 A

Pd-消費電力：

536 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

NGTB50N120FL2WA

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

50 A

ブランド：

オン・セミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.211644 oz

Tags

NGTB50N1, NGTB5, NGTB, NGT