SSM3J352F,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

S-Mini-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

5.1 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

600 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.8 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

54 ns

典型的なターンオン遅延時間：

31 ns

単位重量：

0.000423 oz

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM