IXTA06N120P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263AA-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

600 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

34 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

13.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

42 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

4.5 mm

長さ：

9.9 mm

シリーズ：

IXTA06N120

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.2 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.28 S

立ち下がり時間：

34 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

37 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTA06, IXTA0, IXTA, IXT