SIHF9520S-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

6.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

600 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

18 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

SIH

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2 S

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

29 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

Tags

SIHF95, SIHF9, SIHF, SIH