IXFT86N30T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-268-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

300 V

Id-連続ドレイン電流：

86 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

43 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

180 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

830 W

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

5.1 mm

長さ：

16.05 mm

シリーズ：

IXFT86N30

タイプ：

トレンチHiperFETパワーMOSFET

幅：

14 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

70 S

立ち下がり時間：

54 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

54 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

単位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFT8, IXFT, IXF