IXTQ22N50P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

270 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

50 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

20.3 mm

長さ：

15.8 mm

シリーズ：

IXTQ22N50

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.9 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

3

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

72 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.194007 oz

Tags

IXTQ22N5, IXTQ22N, IXTQ22, IXTQ2, IXTQ, IXT