2N5416U4

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SMD-0.22-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

350 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 50 mA, 10 V

包装：

トレイ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15 at 1 mA, 10 V

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N5416U4, 2N5416U, 2N5416, 2N541, 2N54, 2N5