TSM60N1R4CH

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

3.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

880 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Qg-ゲートチャージ：

7.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

38 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

22 ns

ファクトリーパックの数量：

1875

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

パーツ番号エイリアス：

C5G TSM60N1R4CH

単位重量：

0.011993 oz

Tags

TSM60N1, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM