MRF6V10010NR4

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

利得：

25 dB

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PLD-1.5

包装：

リール

構成：

シングルデュアルソース

高さ：

1.83 mm

長さ：

6.73 mm

動作周波数：

960 MHz to 1400 MHz

シリーズ：

MRF6V10010N

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

5.97 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

パーツ番号エイリアス：

935321297531

単位重量：

0.009877 oz

Tags

MRF6V10, MRF6V1, MRF6V, MRF6, MRF