IXTA1N170DHV

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.7 kV

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

47 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

290 W

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

チューブ

シリーズ：

標準

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

570 mS

立ち下がり時間：

216 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

38 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

130 ns

典型的なターンオン遅延時間：

46 ns

単位重量：

0.077603 oz

Tags

IXTA1N1, IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT