ATP212-TL-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ATPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

35 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

23 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

34.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

40 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

ATP212

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

35 S

立ち下がり時間：

87 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

110 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

125 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

ATP212, ATP21, ATP2, ATP