CXDM6053N TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

5.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

52 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

CXDM

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

セントラルセミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

CXDM6053N PBFREE TR

単位重量：

0.004603 oz

Tags

CXDM6, CXDM, CXD