2N6229

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

ゲイン帯域幅積fT：

1 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

100

包装：

トレイ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

連続コレクタ電流：

10 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25

Pd-消費電力：

150 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N622, 2N62, 2N6