STF9NM60N

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

745 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

17.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

25 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

シリーズ：

STF9NM60N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

26.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

52.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

28 ns

単位重量：

0.011640 oz

Tags

STF9NM6, STF9NM, STF9N, STF9, STF