ZXMD63N03XTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MSOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

2.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

135 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

870 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.95 mm

長さ：

3.1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ZXMD63

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.1 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.9 S

立ち下がり時間：

4.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.1 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.5 ns

単位重量：

0.004938 oz

Tags

ZXMD63N03, ZXMD63N, ZXMD63, ZXMD6, ZXMD, ZXM