DMN62D1LFB-7B

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

X1-DFN1006-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

320 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

0.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

16.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.4 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.4 ns

単位重量：

0.000035 oz

Tags

DMN62D1L, DMN62D1, DMN62, DMN6, DMN