RU1C002ZPTCL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323FL-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

1.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

RU1C002ZP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel MOSFET

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

パーツ番号エイリアス：

RU1C002ZP

単位重量：

0.004395 oz

Tags

RU1C002ZPT, RU1C002Z, RU1C002, RU1C0, RU1C, RU1