EFC4626R-TR

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EFCP1010-4

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

24 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

37.5 mOhms, 37.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

7.5 nC, 7.5 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.4 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

EFC4626R

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7 S, 7 S

立ち下がり時間：

38.4 us, 38.4 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

350 ns, 350 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 us, 22 us

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns, 20 ns

単位重量：

0.000018 oz

Tags

EFC462, EFC46, EFC4, EFC