TK20N60W,S1VF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

130 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

48 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

165 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

DTMOSIV

高さ：

20.95 mm

長さ：

15.94 mm

シリーズ：

TK20N60W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.02 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

TK20N60W,S, TK20N, TK20, TK2