SIJ482DP

Mfr. #:: SIJ482DP
メーカー:: Vishay / Siliconix
説明:
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: SIJ482DP データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: Vishay / Siliconix

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: リール

パーツエイリアス: SIJ482DP-GE3

単位重量: 0.017870 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

商標名: ThunderFET TrenchFET

パッケージ-ケース: SO-8

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 69.4 W

Vgs-Gate-Source-Voltage: 2.7 V

Id-連続-ドレイン-電流: 60 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 80 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 2.7 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 6.2 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

Qg-Gate-Charge: 24 nC

Tags: SIJ482, SIJ48, SIJ4, SIJ

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
SIJ482DP-T1-GE3 DISTI # SIJ482DP-T1-GE3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	2645In Stock	1000:$0.9528 500:$1.1500 100:$1.4786 10:$1.8400 1:$2.0400
SIJ482DP-T1-GE3 DISTI # SIJ482DP-T1-GE3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Temporarily Out of Stock	3000:$0.8613
SIJ482DP-T1-GE3 DISTI # SIJ482DP-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 80 21.1 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIJ482DP-T1-GE3) RoHS: Not Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	3000:$0.8439 6000:$0.8189 12000:$0.7849 18000:$0.7639 30000:$0.7429
SIJ482DP-T1-GE3 DISTI # 78-SIJ482DP-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L RoHS: Compliant	4971	1:$1.8100 10:$1.5000 100:$1.1600 500:$1.0200 1000:$0.9680 3000:$0.9670
SIJ482DPT1GE3	Vishay Intertechnologies	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant	Europe - 3000
SIJ482DP-T1-GE3 DISTI # 2283671	Vishay Intertechnologies	MOSFET, N-CH, 80V, PPAK-SO8 RoHS: Compliant	0	1000:$1.5400 3000:$1.5400 500:$1.6200 100:$1.8400 10:$2.3800 1:$2.8700
SIJ482DP-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L RoHS: Compliant	Americas -

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: SIJ494DP-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIJ494DP-T1-GE3	MOSFET N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
	Mfr.#: SIJ438ADP-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIJ438ADP-T1-GE3	MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
	Mfr.#: SIJ494DP-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIJ494DP-T1-GE3-VISHAY	MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8
	Mfr.#: SIJ400DP OMO.#: OMO-SIJ400DP-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIJ42ODP-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIJ42ODP-T1-GE3-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIJ458DP-T1 OMO.#: OMO-SIJ458DP-T1-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIJ458DP-T1-E3 OMO.#: OMO-SIJ458DP-T1-E3-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIJ470DP OMO.#: OMO-SIJ470DP-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIJ478DP OMO.#: OMO-SIJ478DP-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIJ478DPT1GE3 OMO.#: OMO-SIJ478DPT1GE3-1190	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET