HP8S36TB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

27 A, 80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V, 12 V

Qg-ゲートチャージ：

4.8 nC, 47 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S, 30 S

立ち下がり時間：

3.4 ns, 66 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.5 ns, 27 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25.5 ns, 186 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.6 ns, 34 ns

パーツ番号エイリアス：

HP8S36

Tags

HP8S36, HP8S3, HP8S, HP8