BFU530XAR

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ広帯域

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

16 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

2 V

連続コレクタ電流：

10 mA

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT143B-4

包装：

リール

コレクター-ベース電圧VCBO：

24 V

DC電流ゲインhFEMax：

200

動作周波数：

900 MHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 150 C

タイプ：

広帯域RFトランジスタ

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

ゲイン帯域幅積fT：

11 GHz

最大DCコレクタ電流：

65 mA

Pd-消費電力：

450 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

934067707215

単位重量：

0.000313 oz

Tags

BFU530X, BFU53, BFU5, BFU