DMN3035LWN-7

Mfr. #:: DMN3035LWN-7
メーカー:: Diodes Incorporated
説明:: IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: DMN3035LWN-7 データシート
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ECAD Model:
詳しくは:: DMN3035LWN-7 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: 組み込まれたダイオード

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: DMN3035

包装: Digi-ReelR代替パッケージ

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 8-PowerVDFN

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: V-DFN3020-8

構成: デュアル

FETタイプ: 2 N-Channel (Dual)

パワーマックス: 770mW

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 399pF @ 15V

FET機能: 標準

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 5.5A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 2V @ 250μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 9.9nC @ 10V

Pd-電力損失: 1.78 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 2 ns 2 ns

立ち上がり時間: 3.3 ns 3.3 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: +/- 20 V +/- 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 5.5 A 5.5 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 30 V 30 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 1 V 1 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 45 mOhms 45 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 10.6 ns 10.6 ns

典型的なターンオン遅延時間: 3 ns 3 ns

Qg-Gate-Charge: 9.9 nC 9.9 nC

フォワード-相互コンダクタンス-最小: -

チャネルモード: 強化

Tags: DMN303, DMN30, DMN3, DMN

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DMN3035LWN-7 説明

***et: Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 5.5A 8-Pin VDFN T/R

***ure Electronics: Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 770mW Surface Mount V-DFN3020-8

***ical: Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin VDFN T/R

***des Inc SCT: DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS

DMN3035LWN-7 詳しくは

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs: Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
DMN3035LWN-7 DISTI # DMN3035LWN-7DITR-ND	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	On Order	3000:$0.1817
DMN3035LWN-7 DISTI # DMN3035LWN-7DICT-ND	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Temporarily Out of Stock	1000:$0.2053 500:$0.2657 100:$0.3623 10:$0.4830 1:$0.5700
DMN3035LWN-7 DISTI # DMN3035LWN-7DIDKR-ND	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Temporarily Out of Stock	1000:$0.2053 500:$0.2657 100:$0.3623 10:$0.4830 1:$0.5700
DMN3035LWN-7 DISTI # DMN3035LWN-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3020-8 T&R 3K - Tape and Reel (Alt: DMN3035LWN-7) RoHS: Not Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	3000:$0.1269 6000:$0.1199 12000:$0.1149 18000:$0.1089 30000:$0.1069
DMN3035LWN-7 DISTI # 621-DMN3035LWN-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF RoHS: Compliant	1	1:$0.4700 10:$0.3850 100:$0.2350 1000:$0.1820 3000:$0.1550
DMN3035LWN-13 DISTI # 621-DMN3035LWN-13	Diodes Incorporated	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3020-8 T&R 10K	0	1:$0.4700 10:$0.3830 100:$0.2340 1000:$0.1810 2500:$0.1540

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: DMN3033LDM-7 OMO.#: OMO-DMN3033LDM-7	MOSFET NMOS-SINGLE
	Mfr.#: DMN3033LSNQ-7 OMO.#: OMO-DMN3033LSNQ-7	MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
	Mfr.#: DMN3032LFDB-7 OMO.#: OMO-DMN3032LFDB-7	MOSFET MOSFET BVDSS
	Mfr.#: DMN3031LSS-13 OMO.#: OMO-DMN3031LSS-13	MOSFET SINGLE N-CHANNEL
	Mfr.#: DMN3031LSS OMO.#: OMO-DMN3031LSS-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN3033LSD OMO.#: OMO-DMN3033LSD-1190	MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8
	Mfr.#: DMN3033LSD-13-F OMO.#: OMO-DMN3033LSD-13-F-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN3033LSN OMO.#: OMO-DMN3033LSN-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN3032LE-13-CUT TAPE OMO.#: OMO-DMN3032LE-13-CUT-TAPE-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN3033LSD-13 OMO.#: OMO-DMN3033LSD-13-DIODES	MOSFET NMOS-DUAL