DN0150BLP4-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

0.1 A

ゲイン帯域幅積fT：

60 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

DN0150

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 2 mA, 6 V

高さ：

0.35 mm

長さ：

1 mm

包装：

リール

幅：

0.6 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

450 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

DN0150BLP4-7, DN0150BL, DN0150B, DN015, DN01, DN0