IPL60R650P6SATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ThinPAK-56-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

650 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

56.8 W

構成：

独身

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

CoolMOS P6

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

パーツ番号エイリアス：

IPL60R650P6S SP001163080

単位重量：

0.002677 oz

Tags

IPL60, IPL6, IPL